Książka wprowadza Czytelnika krok po kroku w tajniki posługiwania się programem PSpice -- komercyjną wersją programu SPICE2 -- opracowaną przez firmę MicroSim. Autor rozpoczyna od analizy prostego dzielnika napięcia i poprzez liczne, coraz bardziej skomplikowane przykłady doprowadza do analizy układu scalonego stanowiącego wzmacniacz operacyjny A741. Szczególnie dokładnie opisane zostały modele matematyczne elementów półprzewodnikowych zastosowane w programie.

Uwagę zwraca szczegółowy opis modelu materiału ferromagnetycznego oraz unikalny algorytm wyznaczania parametrów potrzebnych do modelowania takiego materiału. Książka uzupełniona jest przez dodatki podsumowujące sposób opisu obwodu i instrukcje sterujące analizą.

Książka przeznaczona jest dla wszystkich interesujących się elektroniką. W szczególności może być bardzo przydatna studiującym elektronikę, telekomunikację, automatykę, informatykę oraz pokrewne dziedziny wiedzy.

Osoby które kupowały "Pspice. Komputerowa symulacja układów elektronicznych", wybierały także:

• Windows Media Center. Domowe centrum rozrywki 66,67 zÅ‚, (8,00 zÅ‚ -88%)
• Przywództwo w Å›wiecie VUCA. Jak być skutecznym liderem w niepewnym Å›rodowisku 58,64 zÅ‚, (12,90 zÅ‚ -78%)
• Mapa Agile & Scrum. Jak si 57,69 zÅ‚, (15,00 zÅ‚ -74%)
• Lean dla bystrzaków. Wydanie II 49,62 zÅ‚, (12,90 zÅ‚ -74%)
• Gra bez koÅ„ca 47,78 zÅ‚, (12,90 zÅ‚ -73%)

Spis treści

Pspice. Komputerowa symulacja układów elektronicznych -- spis treści

1. Pierwsze kroki (1)

• 1.1 Komputerowa analiza ukÅ‚adów elektronicznych (1)
  
• 1.2 Prosty obwód (2)
  
• 1.3 Organizacja danych wejÅ›ciowych (5)
  
• 1.4 Podstawowe typy elementów (6)
  
  • 1.4.1 Opornik (6)
  • 1.4.2 Kondensator (7)
  • 1.4.3 Cewka (7)
  • 1.4.4 Cewki sprzężone (7)
  • 1.4.5 Bezstratna linia dÅ‚uga (8)
  • 1.4.6 Niezależne źródÅ‚a napiÄ™cia i prÄ…du (9)
  • 1.4.7 ŹródÅ‚a sterowane napiÄ™ciem (9)
  • 1.4.8 ŹródÅ‚a sterowane prÄ…dem (10)
• 1.5 WartoÅ›ci elementów (10)
  
• 1.6 Uwagi o metodzie analizy obwodu (11)
  
  • 1.6.1 Metoda potencjałów wÄ™zÅ‚owych (11)
  • 1.6.2 Zmodyfikowana metoda potencjałów wÄ™zÅ‚owych (15)

2. Analiza stałoprądowa (19)

• 2.1 Statyczny punkt pracy ukÅ‚adu (19)
  
• 2.2 Charakterystyki statyczne (20)
  
• 2.3 Zbieżność obliczeÅ„ (22)
  
  • 2.3.1 Algorytm Newton-a Raphson-a (25)
  • 2.3.3 Parametryzacja źródeÅ‚ (30)
• 2.4 Transmitancje staÅ‚oprÄ…dowe (32)
  
  • 2.4.1 Instrukcja .TF - obliczanie transmitancji (33)
  • 2.4.2 Inny sposób obliczania transmitancji staÅ‚oprÄ…dowej (34)
• 2.5 WrażliwoÅ›ci (36)
  
  • 2.5.1 Format instrukcji (36)
  • 2.5.2 Projektowanie przetwornika C/A (36)
  • 2.5.3 Analiza Monte Carlo (40)

3. Analiza zmiennoprÄ…dowa (45)

• 3.1 Analiza w dziedzinie czÄ™stotliwoÅ›ci (45)
  
  • 3.1.1 Wymuszenia (46)
  • 3.1.2 Modele elementów nieliniowych (46)
  • 3.1.3 Wzmacniacz oporowy (48)
  • 3.1.4 Instrukcje wyprowadzania danych (52)
• 3.2 Analiza szumów (62)
  
  • 3.2.1 Modele szumowe elementów (63)
  • 3.2.2 Instrukcja analizy szumów (65)
  • 3.2.3 Szumy wtórnika napiÄ™cia - instrukcje .INC, .SUBCKT, .ENDS (66)

4. Analiza stanów nieustalonych (71)

• 4.1 Instrukcja analizy stanów nieustalonych (72)
  
  • 4.1.1 Wymuszenia (73)
  • 4.1.2 Klucze (77)
  • 4.1.3 Linia dÅ‚uga (79)
  • 4.1.4 Sterowanie procesem caÅ‚kowania (83)
• 4.2 UkÅ‚ady niestacjonarne (86)
  
  • 4.2.1Idea realizacji elementów o zmiennych w czasie parametrach (86)
  • 4.2.2 Nieliniowe źródÅ‚a sterowane (88)
  • 4.2.3 Biblioteka elementów o wartoÅ›ciach zależnych od czasu (91)
• 4.3 Analiza znieksztaÅ‚ceÅ„ nieliniowych (94)
  
• 4.4 Zastosowanie programu PSpice do problemów nieelektrycznych (99)
  
  • 4.4.1 Atraktor Lorentza (100)
  • 4.4.2 CzÄ…stka amoniaku (102)

5. Elementy pasywne - modele (111)

• 5.1 Jeszcze raz deklaracja modelu (111)
  
• 5.2 Model opornika (112)
  
• 5.3 Model kondensatora (114)
  
• 5.4 Model cewki magnetycznej (115)
  
• 5.5 Model kluczy sterowanych (116)
  
• 5.6 Model nieliniowego rdzenia magnetycznego (116)
  
  • 5.6.1 Model materiaÅ‚u rdzenia (118)
  • 5.6.2 Wyznaczanie parametrów materiaÅ‚u magnetycznego (119)
  • 5.6.3 Uwagi na temat obliczania parametrów materiałów magnetycznie miÄ™kkich (125)

6. Elementy półprzewodnikowe (127)

• 6.1 Dioda półprzewodnikowa (127)
  
  • 6.1.1 Deklaracja diody półprzewodnikowej (127)
  • 6.1.2 Model diody półprzewodnikowej (129)
  • 6.1.3 WpÅ‚yw temperatury na charakterystyki diody (134)
  • 6.1.4 Model maÅ‚osygnaÅ‚owy i model szumowy diody (137)
• 6.2 Tranzystor bipolarny (138)
  
  • 6.2.1 Deklaracja tranzystora bipolarnego (138)
  • 6.2.2 Charakterystyka statyczna tranzystora bipolarnego (139)
  • 6.2.3 PojemnoÅ›ci (143)
  • 6.2.5 Model maÅ‚osygnaÅ‚owy i model szumowy (150)
• 6.3 Tranzystor polowy, zÅ‚Ä…czowy (JFET) (155)
  
  • 6.3.1 Deklaracja w strukturze obwodu tranzystora polowego, zÅ‚Ä…czowego (156)
  • 6.3.2 Model standardowego (Si) tranzystora polowego, zÅ‚Ä…czowego (156)
  • 6.3.3 Model tranzystora polowego, zÅ‚Ä…czowego GaAs (159)
  • 6.3.4 Model maÅ‚osygnaÅ‚owy i model szumowy (163)
• 6.4 Tranzystor polowy z izolowanÄ… bramkÄ… (MOS) (164)
  
  • 6.4.1 Deklaracja tranzystora MOS w strukturze obwodu (165)
  • 6.4.2 Model Shichman-a Hodges-a (LEVEL=1) (166)
  • 6.4.3 Model Meyer-a (LEVEL=2) (174)
  • 6.4.4 Model Dang-a (LEVEL=3) (184)
  • 6.4.5 OpornoÅ›ci omowe (190)
  • 6.4.6 Komentarz (190)
  • 6.4.7 Model maÅ‚osygnaÅ‚owy i szumowy (191)

Dodatek A Instrukcje i deklaracje (194)

Dodatek B Deklaracje elementów (207)

Dodatek C Konfiguracja programu Probe (215)

Dodatek D Probe - wyrażenia (217)

Literatura (219)

Indeks (222)